単結晶インゴット引き上げ
熔かした多結晶シリコンをゆっくり回転させながら引き上げ、単結晶シリコンインゴットを製造する。
酸化?拡散
シリコンウェハーの表面を酸化させ、膜を張る。
フォトレジストコーティング
ウェハーの表面にフォトレジストを均一的に塗布し、コーティングする。そして紫外線を浴びさせ、ウェハーの性質は変化させる。
リソグラフィー
マスクを通してフォトレジスト層に紫外線を浴びさせ、電路パターンを作る。
コロージョン
殘りのフォトレジストなどの物質をプラズマエッチングマシンで除去する。
イオン注入
イオンを酸化膜に注入することで、希望する特性を持った半導體が作れる。さらに、多層化のため、絶縁膜を一層張る。
シリコンインゴットスライス
ダイヤモンドワイヤーソーで単結晶シリコンインゴットを橫向きにスライスする。
グレードテスト
一枚一枚のプロセッサを鑑別し、最高効率や、消費電力、発熱量などの重要特徴を見出す。
カプセル化
基盤、コア、ヒートシンクを積み重ねることで、プロセッサが出來上がる。そして最後は固定ベースプレートからプロセッサを取り出す。
めっき
硫酸銅めっきをし、銅イオンを濾過してトランジスターに付著させる。この作業で薄い銅膜が出來上がる。
ウェハーテスト
ウェハーで生産したすべてのチップに機能テストを行い、欠陥のあるところをマークする。
ウェハースライス
ウェハーをスライスしたら、一枚一枚ずつがプロセッサコアになれる。
溶接ワイヤー
プロセッサを固定治具に固定してから溶接を行う。
