単結(jié)晶インゴット引き上げ
熔かした多結(jié)晶シリコンをゆっくり回転させながら引き上げ、単結(jié)晶シリコンインゴットを製造する。
酸化?拡散
シリコンウェハーの表面を酸化させ、膜を張る。
フォトレジストコーティング
ウェハーの表面にフォトレジストを均一的に塗布し、コーティングする。そして紫外線を浴びさせ、ウェハーの性質(zhì)は変化させる。
リソグラフィー
マスクを通してフォトレジスト層に紫外線を浴びさせ、電路パターンを作る。
コロージョン
殘りのフォトレジストなどの物質(zhì)をプラズマエッチングマシンで除去する。
イオン注入
イオンを酸化膜に注入することで、希望する特性を持った半導體が作れる。さらに、多層化のため、絶縁膜を一層張る。
研削
シリコンウェハーをミラー狀態(tài)に磨き上げる。
シリコンインゴットスライス
ダイヤモンドワイヤーソーで単結(jié)晶シリコンインゴットを橫向きにスライスする。
グレードテスト
一枚一枚のプロセッサを鑑別し、最高効率や、消費電力、発熱量などの重要特徴を見出す。
カプセル化
基盤、コア、ヒートシンクを積み重ねることで、プロセッサが出來上がる。そして最後は固定ベースプレートからプロセッサを取り出す。
めっき
硫酸銅めっきをし、銅イオンを濾過してトランジスターに付著させる。この作業(yè)で薄い銅膜が出來上がる。
ウェハーテスト
ウェハーで生産したすべてのチップに機能テストを行い、欠陥のあるところをマークする。
ウェハースライス
ウェハーをスライスしたら、一枚一枚ずつがプロセッサコアになれる。
溶接ワイヤー
プロセッサを固定治具に固定してから溶接を行う。
