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碳化硅襯底片
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碳化硅（SiC）——第三代半導體單晶材料

迄今為止，以硅（Si）、砷化鎵（GaAs）為代表的第一、第二代半導體推動了微電子、光電子技術的迅猛發展。隨著電力電子技術的飛速發展，半導體器件需求也在增加，電流、電壓等級越來越高，芯片越薄越小，導通壓降低，開關頻率高、損耗小等等。Si基半導體由于材料特性所限已經無法滿足需求，而以碳化硅SiC等新材料為主的新型半導體材料，以其優越的性能突破Si的瓶頸，給半導體器件性能帶來了顯著提升。
碳化硅SiC半導體器件的優勢
（1）比導通電阻是Si器件的近千分之一（在相同的電壓/電流等級），可以大大降低器件的導通損耗； （2）開關頻率是硅器件的20倍，可以大大減小電路中儲能元件的體積，從而成倍的減小設備體積，減少貴重金屬等設備的消耗； （3）理論上可以在600度以上的高溫環境下工作，并有抗輻射的優勢，可以大大提高系統的可靠性，在能源轉換領域具有巨大的技術優勢和應用價值。
碳化硅晶體6英寸
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碳化硅晶體4英寸
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加工后SiC單晶片
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